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复旦亚纳秒级闪存技术登Nature
2025-04-16 23:30:16 星期三
格隆汇4月16日|据复旦大学消息,复旦大学集成芯片与系统全国重点实验室、芯片与系统前沿技术研究院周鹏-刘春森团队通过构建准二维泊松模型,在理论上预测了超注入现象,打破了现有存储速度的理论极限,研制“破晓(PoX)”皮秒闪存器件,其擦写速度可提升至亚1纳秒(400皮秒),相当于每秒可执行25亿次操作,是迄今为止世界上最快的半导体电荷存储技术。
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